SCT50N120
Pieprasīt cenu un izpildes laiku
SCT50N120 ir pieejami, mēs varam piegādāt SCT50N120, izmantojiet pieprasījuma cenu veidlapu, lai pieprasītu SCT50N120 pirce un izpildes laiku.Atosn.com profesionāls elektronisko komponentu izplatītājs. Mums ir liels krājums un mēs varam ātri piegādāt. Sazinieties ar mums jau šodien, un mūsu tirdzniecības pārstāvis sniegs jums cenu un sūtījuma detaļas # SCT50N120 daļā. Iekļaujiet muitošanas jautājumus, lai tie atbilstu jūsu valstij. Mums ir profesionāla pārdošanas komandaun tehniskā komanda, mēs ceram strādāt ar jums.
Pieprasīt cenu
Produktu paraugi
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 3V @ 1mA
- Vgs (Max)
- +25V, -10V
- Tehnoloģija
- SiCFET (Silicon Carbide)
- Piegādātāja ierīču komplekts
- HiP247™
- Sērija
- -
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 69 mOhm @ 40A, 20V
- Jaudas izkliedes (maksimums)
- 318W (Tc)
- Iepakojums
- Tube
- Iepakojums / lieta
- TO-247-3
- Citi vārdi
- 497-16598-5
- Darbības temperatūra
- -55°C ~ 200°C (TJ)
- Montāžas tips
- Through Hole
- Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
- Lead free / RoHS Compliant
- Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
- 1900pF @ 400V
- Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
- 122nC @ 20V
- FET tips
- N-Channel
- FET iezīme
- -
- Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
- 20V
- Drain to avota spriegumam (Vdss)
- 1200V
- Detalizēts apraksts
- N-Channel 1200V 65A (Tc) 318W (Tc) Through Hole HiP247™
- Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
- 65A (Tc)
Līdzīgi produkti
- STMicroelectronics SCT50N120
- SCT50N120 datu lapa
- SCT50N120 datu lapa
- SCT50N120 pdf datu lapa
- Lejupielādējiet SCT50N120 datu lapu
- SCT50N120 attēls
- SCT50N120 daļa
- ST SCT50N120
- STMicroelectronics SCT50N120