Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > STP30NM60ND
STP30NM60ND
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 25A TO-220
Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Pieprasīt cenu un izpildes laiku
STP30NM60ND ir pieejami, mēs varam piegādāt STP30NM60ND, izmantojiet pieprasījuma cenu veidlapu, lai pieprasītu STP30NM60ND pirce un izpildes laiku.Atosn.com profesionāls elektronisko komponentu izplatītājs. Mums ir liels krājums un mēs varam ātri piegādāt. Sazinieties ar mums jau šodien, un mūsu tirdzniecības pārstāvis sniegs jums cenu un sūtījuma detaļas # STP30NM60ND daļā. Iekļaujiet muitošanas jautājumus, lai tie atbilstu jūsu valstij. Mums ir profesionāla pārdošanas komandaun tehniskā komanda, mēs ceram strādāt ar jums.
Pieprasīt cenu
Produktu paraugi
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 5V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±25V
- Tehnoloģija
- MOSFET (Metal Oxide)
- Piegādātāja ierīču komplekts
- TO-220AB
- Sērija
- FDmesh™ II
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 130 mOhm @ 12.5A, 10V
- Jaudas izkliedes (maksimums)
- 190W (Tc)
- Iepakojums
- Tube
- Iepakojums / lieta
- TO-220-3
- Citi vārdi
- 497-8448-5
- Darbības temperatūra
- 150°C (TJ)
- Montāžas tips
- Through Hole
- Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
- Lead free / RoHS Compliant
- Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
- 2800pF @ 50V
- Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
- 100nC @ 10V
- FET tips
- N-Channel
- FET iezīme
- -
- Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
- 10V
- Drain to avota spriegumam (Vdss)
- 600V
- Detalizēts apraksts
- N-Channel 600V 25A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-220AB
- Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
- 25A (Tc)
Līdzīgi produkti
- STMicroelectronics STP30NM60ND
- STP30NM60ND datu lapa
- STP30NM60ND datu lapa
- STP30NM60ND pdf datu lapa
- Lejupielādējiet STP30NM60ND datu lapu
- STP30NM60ND attēls
- STP30NM60ND daļa
- ST STP30NM60ND
- STMicroelectronics STP30NM60ND