Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > STP13N65M2
STP13N65M2
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 10A TO220
Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Pieprasīt cenu un izpildes laiku
STP13N65M2 ir pieejami, mēs varam piegādāt STP13N65M2, izmantojiet pieprasījuma cenu veidlapu, lai pieprasītu STP13N65M2 pirce un izpildes laiku.Atosn.com profesionāls elektronisko komponentu izplatītājs. Mums ir liels krājums un mēs varam ātri piegādāt. Sazinieties ar mums jau šodien, un mūsu tirdzniecības pārstāvis sniegs jums cenu un sūtījuma detaļas # STP13N65M2 daļā. Iekļaujiet muitošanas jautājumus, lai tie atbilstu jūsu valstij. Mums ir profesionāla pārdošanas komandaun tehniskā komanda, mēs ceram strādāt ar jums.
Pieprasīt cenu
Produktu paraugi
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±25V
- Tehnoloģija
- MOSFET (Metal Oxide)
- Piegādātāja ierīču komplekts
- TO-220
- Sērija
- MDmesh™ M2
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 430 mOhm @ 5A, 10V
- Jaudas izkliedes (maksimums)
- 110W (Tc)
- Iepakojums
- Tube
- Iepakojums / lieta
- TO-220-3
- Citi vārdi
- 497-15555-5
- Darbības temperatūra
- 150°C (TJ)
- Montāžas tips
- Through Hole
- Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Ražotāja standarta svina laiks
- 42 Weeks
- Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
- Lead free / RoHS Compliant
- Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
- 590pF @ 100V
- Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
- 17nC @ 10V
- FET tips
- N-Channel
- FET iezīme
- -
- Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
- 10V
- Drain to avota spriegumam (Vdss)
- 650V
- Detalizēts apraksts
- N-Channel 650V 10A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220
- Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
- 10A (Tc)
Līdzīgi produkti
- STMicroelectronics STP13N65M2
- STP13N65M2 datu lapa
- STP13N65M2 datu lapa
- STP13N65M2 pdf datu lapa
- Lejupielādējiet STP13N65M2 datu lapu
- STP13N65M2 attēls
- STP13N65M2 daļa
- ST STP13N65M2
- STMicroelectronics STP13N65M2