STS9P2UH7
Pieprasīt cenu un izpildes laiku
STS9P2UH7 ir pieejami, mēs varam piegādāt STS9P2UH7, izmantojiet pieprasījuma cenu veidlapu, lai pieprasītu STS9P2UH7 pirce un izpildes laiku.Atosn.com profesionāls elektronisko komponentu izplatītājs. Mums ir liels krājums un mēs varam ātri piegādāt. Sazinieties ar mums jau šodien, un mūsu tirdzniecības pārstāvis sniegs jums cenu un sūtījuma detaļas # STS9P2UH7 daļā. Iekļaujiet muitošanas jautājumus, lai tie atbilstu jūsu valstij. Mums ir profesionāla pārdošanas komandaun tehniskā komanda, mēs ceram strādāt ar jums.
Pieprasīt cenu
Produktu paraugi
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 1V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±8V
- Tehnoloģija
- MOSFET (Metal Oxide)
- Piegādātāja ierīču komplekts
- 8-SO
- Sērija
- STripFET™
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 22.5 mOhm @ 4.5A, 4.5V
- Jaudas izkliedes (maksimums)
- 2.7W (Tc)
- Iepakojums
- Tape & Reel (TR)
- Iepakojums / lieta
- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Citi vārdi
- 497-15155-2
- Darbības temperatūra
- 150°C (TJ)
- Montāžas tips
- Surface Mount
- Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
- Lead free / RoHS Compliant
- Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
- 2390pF @ 16V
- Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
- 22nC @ 4.5V
- FET tips
- P-Channel
- FET iezīme
- -
- Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
- 1.5V, 4.5V
- Drain to avota spriegumam (Vdss)
- 20V
- Detalizēts apraksts
- P-Channel 20V 9A (Tc) 2.7W (Tc) Surface Mount 8-SO
- Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
- 9A (Tc)
Līdzīgi produkti
- STMicroelectronics STS9P2UH7
- STS9P2UH7 datu lapa
- STS9P2UH7 datu lapa
- STS9P2UH7 pdf datu lapa
- Lejupielādējiet STS9P2UH7 datu lapu
- STS9P2UH7 attēls
- STS9P2UH7 daļa
- ST STS9P2UH7
- STMicroelectronics STS9P2UH7